IXFK150N15P

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IXFK150N15P

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXFK150N15P
Fabricant Modèle de produit:IXFK150N15P
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXF(H,K)150N15P
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IXFK150N15P
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)
Séries PolarHT™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXFK150N15P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 150V 150A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Tension drain-source (Vdss) 150V
La description MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc)

Autres

Emballage normal 25

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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