IXFT32N50

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IXFT32N50

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXFT32N50
Fabricant Modèle de produit:IXFT32N50
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXFH/IXFT(30,32)N50
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IXFT32N50
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-268
Séries HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXFT32N50
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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