IXGK35N120BD1

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IXGK35N120BD1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXGK35N120BD1
Fabricant Modèle de produit:IXGK35N120BD1
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXG(K,X)35N120B(D1)
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IXGK35N120BD1
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
Condition de test 960V, 35A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/180ns
énergie de commutation 3.8mJ (off)
Package composant fournisseur TO-264 (IXGK)
Séries HiPerFAST™
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns
Puissance - Max 350W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXGK35N120BD1
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 170nC
Description élargie IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
La description IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 140A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70A

Autres

Emballage normal 25

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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