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IXS839BQ2

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXS839BQ2
Fabricant Modèle de produit:IXS839BQ2
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXS839(A,B)
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IXS839BQ2
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
Package composant fournisseur 10-QFN (3x3)
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 15ns
Emballage Tube
Package / Boîte 10-VFQFN Exposed Pad
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXS839BQ2
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2V
Type d'entrée Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 24V
Type de porte N-Channel MOSFET
Description élargie Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-QFN (3x3)
Configuration pilotée Half-Bridge
La description IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 4A
courant de charge Synchronous

Autres

Emballage normal 121

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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