IXTH36N20T

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IXTH36N20T

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXTH36N20T
Fabricant Modèle de produit:IXTH36N20T
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXTH36N20T
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IXTH36N20T
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Dissipation de puissance (max) -
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXTH36N20T
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 200V 36A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tension drain-source (Vdss) 200V
La description MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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