IXTH5N100A

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IXTH5N100A

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXTH5N100A
Fabricant Modèle de produit:IXTH5N100A
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXTH/IXTM 5N100(A)
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IXTH5N100A
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Autres noms Q917004
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant IXTH5N100A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 1000V (1kV) 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
La description MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)

Autres

Autres noms Q917004
Emballage normal 30

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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