IXTP1R6N100D2

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IXTP1R6N100D2

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXTP1R6N100D2
Fabricant Modèle de produit:IXTP1R6N100D2
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXT(Y,A,P)1R6N100D2
Application:-
Poids:-
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IXTP1R6N100D2
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 800mA, 0V
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant IXTP1R6N100D2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET Depletion Mode
Description élargie N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
La description MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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