IXTP3N110

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IXTP3N110

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXTP3N110
Fabricant Modèle de produit:IXTP3N110
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXT(A,P)3N110/120
Application:-
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IXTP3N110
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXTP3N110
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 1100V (1.1kV) 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 1100V (1.1kV)
La description MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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