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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > IXZR18N50B-00
IXZR18N50B-00

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IXZR18N50B-00

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXZR18N50B-00
Fabricant Modèle de produit:IXZR18N50B-00
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXZR18N50(A, B)
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IXZR18N50B-00
En stock: 61530 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Test -
Tension - Nominale 500V
Transistor Type N-Channel
Package composant fournisseur PLUS247™-3
Séries Z-MOS™
Alimentation - sortie 350W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Noise Figure -
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant IXZR18N50B-00
Gain -
La fréquence -
Description élargie RF Mosfet N-Channel 350W PLUS247™-3
La description RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Note actuelle 1mA
Courant - Test -

Autres

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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