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MII75-12A3

EXSHINE Modèle de produit:EX-MII75-12A3
Fabricant Modèle de produit:MII75-12A3
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MII75-12A3
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MII75-12A3
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur Y4-M5
Séries -
Puissance - Max 370W
Package / Boîte Y4-M5
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant MII75-12A3
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT NPT
Description élargie IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 90A 370W Chassis Mount Y4-M5
La description MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 90A
Configuration Half Bridge

Autres

Emballage normal 6

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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