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MIXA150Q1200VA

EXSHINE Modèle de produit:EX-MIXA150Q1200VA
Fabricant Modèle de produit:MIXA150Q1200VA
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IGBT MODULE 1200V 150A HEX
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MIXA150Q1200VA
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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MIXA150Q1200VA
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur V1A-PAK
Séries -
Puissance - Max 695W
Package / Boîte V1A-PAK
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant MIXA150Q1200VA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
type de IGBT PT
Description élargie IGBT Module PT Single 1200V 220A 695W Chassis Mount V1A-PAK
La description IGBT MODULE 1200V 150A HEX
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 220A
Configuration Single

Autres

Emballage normal 10

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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