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MMIX1X200N60B3

EXSHINE Modèle de produit:EX-MMIX1X200N60B3
Fabricant Modèle de produit:MMIX1X200N60B3
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IGBT 600V 223A 625W SMPD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MMIX1X200N60B3
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MMIX1X200N60B3
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
Condition de test 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 48ns/160ns
énergie de commutation 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Package composant fournisseur SMPD
Séries GenX3™, XPT™
Puissance - Max 625W
Emballage Tube
Package / Boîte 24-PowerSMD, 21 Leads
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant MMIX1X200N60B3
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 315nC
Description élargie IGBT PT 600V 223A 625W Surface Mount SMPD
La description IGBT 600V 223A 625W SMPD
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 1000A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 223A

Autres

Emballage normal 20

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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