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MUBW45-12T6K

EXSHINE Modèle de produit:EX-MUBW45-12T6K
Fabricant Modèle de produit:MUBW45-12T6K
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MODULE IGBT CBI E1
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MUBW45-12T6K
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Poids:-
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MUBW45-12T6K
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 45A
Package composant fournisseur E1
Séries -
Puissance - Max 160W
Package / Boîte E1
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
NTC thermistance Yes
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant MUBW45-12T6K
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 1.81nF @ 25V
Contribution Three Phase Bridge Rectifier
type de IGBT Trench
Description élargie IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200V 43A 160W Chassis Mount E1
La description MODULE IGBT CBI E1
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1.25mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 43A
Configuration Three Phase Inverter with Brake

Autres

Emballage normal 10

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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