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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BG3123RE6327HTSA1
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BG3123RE6327HTSA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-BG3123RE6327HTSA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | BG3123RE6327HTSA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | BG3123 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
BG3123RE6327HTSA1
En stock: 34417 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Test | 5V |
|---|---|
| Tension - Nominale | 8V |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Package composant fournisseur | PG-SOT363-6 |
| Séries | - |
| Alimentation - sortie | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms | BG 3123R E6327 BG 3123R E6327-ND BG3123RE6327XT SP000015126 |
| Noise Figure | 1.8dB |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | BG3123RE6327HTSA1 |
| Gain | 25dB |
| La fréquence | 800MHz |
| Description élargie | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6 |
| La description | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
| Note actuelle | 25mA, 20mA |
| Courant - Test | 14mA |
Autres
| Autres noms | BG 3123R E6327 BG 3123R E6327-ND BG3123RE6327XT SP000015126 |
|---|---|
| Emballage normal | 3,000 |
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