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BGSF110GN26E6327XTSA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-BGSF110GN26E6327XTSA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | BGSF110GN26E6327XTSA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | IC SWITCH RF 26TSNP |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | BGSF110GN26 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
BGSF110GN26E6327XTSA1
En stock: 40981000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Alimentation | 2.4 V ~ 3.3 V |
|---|---|
| topologie | - |
| Package composant fournisseur | PG-TSNP-26-2 |
| Séries | - |
| type de RF | GSM, LTE, W-CDMA |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 26-WFQFN Exposed Pad |
| P1dB | - |
| Autres noms | BGSF110GN26E6327XTSA1-ND BGSF110GN26E6327XTSA1TR SP001006660 |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | BGSF110GN26E6327XTSA1 |
| Isolation @ Fréquence | 40dB @ 3GHz (typ) |
| Perte d'insertion @ Fréquence | 1.3dB @ 3GHz |
| Impédance | 50 Ohm |
| IIP3 | - |
| Fréquence - Haut | 3.8GHz |
| Fréquence - Bas | 100MHz |
| Caractéristiques | - |
| Description élargie | RF Switch IC GSM, LTE, W-CDMA SP10T 50 Ohm PG-TSNP-26-2 |
| La description | IC SWITCH RF 26TSNP |
| Circuit | SP10T |
Autres
| Emballage normal | 2,000 |
|---|---|
| Autres noms | BGSF110GN26E6327XTSA1-ND BGSF110GN26E6327XTSA1TR SP001006660 |
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