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BSC011N03LSI

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BSC011N03LSI

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSC011N03LSI
Fabricant Modèle de produit:BSC011N03LSI
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSC011N03LSI
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
BSC011N03LSI
En stock: 23022000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms BSC011N03LSI-ND
BSC011N03LSIATMA1
SP000884574
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant BSC011N03LSI
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc)

Autres

Emballage normal 5,000
Autres noms BSC011N03LSI-ND

BSC011N03LSIATMA1

SP000884574

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