BSC050N03LS G

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BSC050N03LS G

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSC050N03LS G
Fabricant Modèle de produit:BSC050N03LS G
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSC050N03LS G
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BSC050N03LS G
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms BSC050N03LSG
BSC050N03LSGINTR
BSC050N03LSGINTR-ND
BSC050N03LSGXT
SP000269785
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant BSC050N03LS G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)

Autres

Emballage normal 5,000
Autres noms BSC050N03LSG

BSC050N03LSGINTR

BSC050N03LSGINTR-ND

BSC050N03LSGXT

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