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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > BSM75GB170DN2HOSA1
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BSM75GB170DN2HOSA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-BSM75GB170DN2HOSA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | BSM75GB170DN2 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
BSM75GB170DN2HOSA1
En stock: 90149 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1700V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Package composant fournisseur | Module |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 625W |
| Package / Boîte | Module |
| Autres noms | SP000100464 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| NTC thermistance | No |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Référence fabricant | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | - |
| Description élargie | IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module |
| La description | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 110A |
| Configuration | Half Bridge |
Autres
| Autres noms | SP000100464 |
|---|---|
| Emballage normal | 10 |
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