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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > BSO211PNTMA1
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BSO211PNTMA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-BSO211PNTMA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | BSO211PNTMA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | BSO211P |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
BSO211PNTMA1
En stock: 18055000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 18055000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | P-DSO-8 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | BSO211PINCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | BSO211PNTMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| La description | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.7A |
Autres
| Autres noms | BSO211PINCT |
|---|---|
| Emballage normal | 1 |
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