BSO615N G

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BSO615N G

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSO615N G
Fabricant Modèle de produit:BSO615N G
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSO 615NG
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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BSO615N G
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Package composant fournisseur PG-DSO-8
Séries SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Puissance - Max 2W
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms BSO615NGINDKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant BSO615N G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A

Autres

Emballage normal 1
Autres noms BSO615NGINDKR

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