BSP296E6327

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BSP296E6327

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSP296E6327
Fabricant Modèle de produit:BSP296E6327
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSP296
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BSP296E6327
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-SOT223-4
Séries SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.79W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms BSP296
BSP296INTR
SP000011106
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant BSP296E6327
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 364pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Ta)

Autres

Emballage normal 1,000
Autres noms BSP296

BSP296INTR

SP000011106

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