BTS282Z E3230

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BTS282Z E3230

EXSHINE Modèle de produit:EX-BTS282Z E3230
Fabricant Modèle de produit:BTS282Z E3230
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BTS282Z
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BTS282Z E3230
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO220-7-230
Séries TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-7
Autres noms BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant BTS282Z E3230
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET Temperature Sensing Diode
Description élargie N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-7-230
Tension drain-source (Vdss) 49V
La description MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

Autres

Autres noms BTS282ZE3230

BTS282ZE3230AKSA1

BTS282ZE3230NK

SP000012357

SP000457996
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