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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > IDW10S120FKSA1
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IDW10S120FKSA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IDW10S120FKSA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IDW10S120FKSA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IDW10S120 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IDW10S120FKSA1
En stock: 33314 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1200V (1.2kV) |
| Package composant fournisseur | PG-TO247-3 |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries | thinQ!™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | SP000919522 |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IDW10S120FKSA1 |
| Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| La description | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 240µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 10A (DC) |
| Capacité à Vr, F | 580pF @ 1V, 1MHz |
Autres
| Autres noms | SP000919522 |
|---|---|
| Emballage normal | 240 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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