EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPB160N04S3H2ATMA1 |
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Fabricant Modèle de produit: | IPB160N04S3H2ATMA1 |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IPB160N04S3-H2 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO263-7-3 |
Séries | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 80A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 214W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Autres noms | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IPB160N04S3H2ATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
Tension drain-source (Vdss) | 40V |
La description | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Emballage normal | 1,000 |
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Autres noms | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
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