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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB80N06S207ATMA1
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IPB80N06S207ATMA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IPB80N06S207ATMA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IPx80N06S2-07 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IPB80N06S207ATMA1
En stock: 55222 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND SP000218818 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IPB80N06S207ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tension drain-source (Vdss) | 55V |
| La description | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Autres
| Autres noms | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND SP000218818 |
|---|---|
| Emballage normal | 1,000 |
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