IPB80P03P405ATMA1

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IPB80P03P405ATMA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPB80P03P405ATMA1
Fabricant Modèle de produit:IPB80P03P405ATMA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPx80P03P4-05
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IPB80P03P405ATMA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 253µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max) 137W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant IPB80P03P405ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

Autres

Autres noms IPB80P03P4-05

IPB80P03P4-05-ND

SP000396282
Emballage normal 1,000

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