IPD096N08N3GBTMA1

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IPD096N08N3GBTMA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPD096N08N3GBTMA1
Fabricant Modèle de produit:IPD096N08N3GBTMA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPD096N08N3 G
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IPD096N08N3GBTMA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 46A, 10V
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IPD096N08N3GBTMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension drain-source (Vdss) 80V
La description MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 73A (Tc)

Autres

Autres noms IPD096N08N3 G

IPD096N08N3 G-ND

SP000474196
Emballage normal 2,500

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