IPD60R950C6ATMA1

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IPD60R950C6ATMA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPD60R950C6ATMA1
Fabricant Modèle de produit:IPD60R950C6ATMA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPx60R950C6
Application:-
Poids:-
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IPD60R950C6ATMA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3
Séries CoolMOS™ C6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IPD60R950C6ATMA1-ND
IPD60R950C6ATMA1TR
SP001117730
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant IPD60R950C6ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Tc)

Autres

Autres noms IPD60R950C6ATMA1-ND

IPD60R950C6ATMA1TR

SP001117730
Emballage normal 2,500

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