IPP10N03LB G

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IPP10N03LB G

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPP10N03LB G
Fabricant Modèle de produit:IPP10N03LB G
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPP10N03LB G
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IPP10N03LB G
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms IPP10N03LB G-ND
IPP10N03LBGIN
IPP10N03LBGX
IPP10N03LBGXK
SP000064222
SP000680860
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IPP10N03LB G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1639pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms IPP10N03LB G-ND

IPP10N03LBGIN

IPP10N03LBGX

IPP10N03LBGXK

SP000064222

SP000680860

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