EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPP10N03LB G |
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Fabricant Modèle de produit: | IPP10N03LB G |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IPP10N03LB G |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Séries | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 58W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IPP10N03LB G |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1639pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
La description | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Emballage normal | 50 |
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Autres noms | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
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