IPP65R660CFDXKSA1

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IPP65R660CFDXKSA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPP65R660CFDXKSA1
Fabricant Modèle de produit:IPP65R660CFDXKSA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 650V 6A TO220
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPx65R660CFD
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IPP65R660CFDXKSA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO-220-3
Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant IPP65R660CFDXKSA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 650V
La description MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

Autres

Emballage normal 500
Autres noms IPP65R660CFD

IPP65R660CFD-ND

SP000745026

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