EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPU80R1K4P7AKMA1 |
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Fabricant Modèle de produit: | IPU80R1K4P7AKMA1 |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IPU80R1K4P7 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO251-3 |
Séries | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms | SP001422742 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Référence fabricant | IPU80R1K4P7AKMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.05nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Super Junction |
Description élargie | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 800V |
La description | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Autres noms | SP001422742 |
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Emballage normal | 1,500 |
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T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
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