IPU80R1K4P7AKMA1

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IPU80R1K4P7AKMA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricant Modèle de produit:IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPU80R1K4P7
Application:-
Poids:-
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Disponibilité en temps réel pour
IPU80R1K4P7AKMA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO251-3
Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms SP001422742
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant IPU80R1K4P7AKMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 500V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.05nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET Super Junction
Description élargie N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V
La description MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

Autres

Autres noms SP001422742
Emballage normal 1,500

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