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IRF5850
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IRF5850 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IRF5850 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
| État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IRF5850 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IRF5850
En stock: 69393 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 6-TSOP |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Puissance - Max | 960mW |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IRF5850 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| La description | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A |
Autres
| Emballage normal | 100 |
|---|
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