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IRF6619

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IRF6619

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF6619
Fabricant Modèle de produit:IRF6619
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF6619
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IRF6619
En stock: 45490 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX
Autres noms IRF6619TR
SP001526848
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant IRF6619
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5040pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)

Autres

Autres noms IRF6619TR

SP001526848
Emballage normal 4,800

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