IRF6720S2TRPBF

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IRF6720S2TRPBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF6720S2TRPBF
Fabricant Modèle de produit:IRF6720S2TRPBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF6720S2TR(1)PBF
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IRF6720S2TRPBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET S1
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DirectFET™ Isometric S1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRF6720S2TRPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 35A (Tc)

Autres

Emballage normal 4,800

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