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IRF7342PBF

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IRF7342PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF7342PBF
Fabricant Modèle de produit:IRF7342PBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF7342PbF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IRF7342PBF
En stock: 71417000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 3.4A, 10V
Puissance - Max 2W
Emballage Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP001571984
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRF7342PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 55V
La description MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A

Autres

Emballage normal 95
Autres noms SP001571984

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