IRF7904PBF

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IRF7904PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF7904PBF
Fabricant Modèle de produit:IRF7904PBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF7904PbF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IRF7904PBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V
Puissance - Max 1.4W, 2W
Emballage Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP001555718
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRF7904PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.6A, 11A

Autres

Emballage normal 95
Autres noms SP001555718

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