IRF9540NLPBF

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IRF9540NLPBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF9540NLPBF
Fabricant Modèle de produit:IRF9540NLPBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF9540NSPbF(NLPbF)
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IRF9540NLPBF
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms SP001575378
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant IRF9540NLPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 100V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms SP001575378

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