EXSHINE Modèle de produit: | EX-IRF9910TR |
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Fabricant Modèle de produit: | IRF9910TR |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IRF9910 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
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Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IRF9910TR |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A, 12A |
Emballage normal | 4,000 |
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