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IRFB4110GPBF

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IRFB4110GPBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFB4110GPBF
Fabricant Modèle de produit:IRFB4110GPBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFB4110GPbF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IRFB4110GPBF
En stock: 61490 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms SP001556050
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRFB4110GPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms SP001556050

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