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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > IRFHM8363TR2PBF
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IRFHM8363TR2PBF
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IRFHM8363TR2PBF |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IRFHM8363TR2PBF |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IRFHM8363PbF |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IRFHM8363TR2PBF
En stock: 97535 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Puissance - Max | 2.7W |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Autres noms | IRFHM8363TR2PBFDKR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IRFHM8363TR2PBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A |
Autres
| Autres noms | IRFHM8363TR2PBFDKR |
|---|---|
| Emballage normal | 1 |
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