IRFR120NPBF

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IRFR120NPBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFR120NPBF
Fabricant Modèle de produit:IRFR120NPBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFR/U120NPbF
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IRFR120NPBF
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 64-4098PBF
64-4098PBF-ND
SP001567480
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRFR120NPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Tc)

Autres

Autres noms 64-4098PBF

64-4098PBF-ND

SP001567480
Emballage normal 75

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