IRFSL4010PBF

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IRFSL4010PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFSL4010PBF
Fabricant Modèle de produit:IRFSL4010PBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFS(L)4010PBF
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IRFSL4010PBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 106A, 10V
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms SP001567760
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant IRFSL4010PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9575pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms SP001567760

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