IRL1004PBF

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IRL1004PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRL1004PBF
Fabricant Modèle de produit:IRL1004PBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRL1004PbF
Application:-
Poids:-
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IRL1004PBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 78A, 10V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms *IRL1004PBF
SP001567104
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant IRL1004PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms *IRL1004PBF

SP001567104

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