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IRLU3636PBF
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IRLU3636PBF |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IRLU3636PBF |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IRL(R,U)3636PBF |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IRLU3636PBF
En stock: 77896 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-Pak |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 143W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | SP001567320 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IRLU3636PBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3779pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| La description | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Autres
| Emballage normal | 75 |
|---|---|
| Autres noms | SP001567320 |
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