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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SPB02N60S5ATMA1
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SPB02N60S5ATMA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-SPB02N60S5ATMA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | SPB02N60S5ATMA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | SPB02N60S5 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
SPB02N60S5ATMA1
En stock: 27819000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | SPB02N60S5INDKR SPB02N60S5INDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | SPB02N60S5ATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 600V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| La description | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|---|
| Autres noms | SPB02N60S5INDKR SPB02N60S5INDKR-ND |
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