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IS480P
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IS480P |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IS480P |
| Fabricant / Marque: | Isocom Components |
| Brève description: | OPTOISO 5KV GATE DRIVER S06 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IS480P |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IS480P
En stock: 16836000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 16836000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 30 V |
|---|---|
| Tension - Isolement | 5000Vrms |
| Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.33V |
| La technologie | Optical Coupling |
| Package composant fournisseur | 6-SO Stretched |
| Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 35ns, 35ns |
| Distorsion de largeur d'impulsion (Max) | 120ns |
| Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) | 200ns, 220ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) |
| Autres noms | IS480PTR |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
| Nombre de canaux | 1 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IS480P |
| Description élargie | Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SO Stretched |
| La description | OPTOISO 5KV GATE DRIVER S06 |
| Courant - Sortie crête | - |
| Courant - Sortie Haut, Bas | 200mA, 200mA |
| Courant - DC Forward (If) (Max) | 10mA |
| Immunité transitoire au mode commun (min.) | 20kV/µs |
| Agréments | - |
Autres
| Emballage normal | 1,000 |
|---|---|
| Autres noms | IS480PTR |
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Distributeur de Isocom Components 2004 LTD
- IXYS Corporation propose une large gamme de semi-conducteurs de haute puissance, comprenant des MOSFET de puissance à résistance de coupure faible, des IGBT à commutation ultra rapide, des diodes de récupération rapide (FRED), des modules de SCR et de diodes, des ponts de redresseur et des circuits d'interface de puissance