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MCT2EX
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MCT2EX |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MCT2EX |
| Fabricant / Marque: | Isocom Components |
| Brève description: | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MCT2(E, EX, X) |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MCT2EX
En stock: 89709000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Sortie (max) | 30V |
|---|---|
| Tension - Isolement | 5300Vrms |
| Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Activer / éteindre l'heure (Typ) | 3µs, 3µs |
| Package composant fournisseur | 6-DIP |
| Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | - |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Le type de sortie | Transistor with Base |
| Autres noms | MCT2EIS MCT2EIS-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
| Nombre de canaux | 1 |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 2 Weeks |
| Référence fabricant | MCT2EX |
| Type d'entrée | DC |
| Description élargie | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP |
| La description | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP |
| Rapport du transfert de courant (min) | 50% @ 10mA |
| Rapport du transfert de courant (max) | - |
| Courant - Sortie / Canal | - |
| Courant - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Autres
| Autres noms | MCT2EIS MCT2EIS-ND |
|---|---|
| Emballage normal | 1,040 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de Isocom Components 2004 LTD
- IXYS Corporation propose une large gamme de semi-conducteurs de haute puissance, comprenant des MOSFET de puissance à résistance de coupure faible, des IGBT à commutation ultra rapide, des diodes de récupération rapide (FRED), des modules de SCR et de diodes, des ponts de redresseur et des circuits d'interface de puissance