2SB1188T100R

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2SB1188T100R

EXSHINE Modèle de produit:EX-2SB1188T100R
Fabricant Modèle de produit:2SB1188T100R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PNP 32V 2A SO-89
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:2SB1188,1182,1240
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2SB1188T100R
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Transistor Type PNP
Package composant fournisseur MPT3
Séries -
Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-243AA
Autres noms 2SB1188T100RTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant 2SB1188T100R
Fréquence - Transition 100MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 100MHz 2W Surface Mount MPT3
La description TRANS PNP 32V 2A SO-89
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 500mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A

Autres

Autres noms 2SB1188T100RTR
Emballage normal 1,000

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