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BSM080D12P2C008

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BSM080D12P2C008

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSM080D12P2C008
Fabricant Modèle de produit:BSM080D12P2C008
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:SIC POWER MODULE-1200V-80A
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSM080D12P2C008
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
BSM080D12P2C008
En stock: 8087 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 13.2mA
Package composant fournisseur Module
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Puissance - Max 600W
Emballage Tray
Package / Boîte Module
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant BSM080D12P2C008
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A 600W Chassis Mount Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
La description SIC POWER MODULE-1200V-80A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A

Autres

Emballage normal 1

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