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BSM300D12P2E001

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BSM300D12P2E001

EXSHINE Modèle de produit:EX-BSM300D12P2E001
Fabricant Modèle de produit:BSM300D12P2E001
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET 2N-CH 1200V 300A
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BSM300D12P2E001
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
BSM300D12P2E001
En stock: 4532 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Package composant fournisseur Module
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Puissance - Max 1875W
Emballage Tray
Package / Boîte Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant BSM300D12P2E001
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
La description MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300A

Autres

Emballage normal 4

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